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专利状态
三维存储器、三维存储器的制备方法及电子设备
有效
专利申请进度
申请
2020-01-03
申请公布
2021-05-14
授权
2023-12-12
预估到期
2040-01-03
专利基础信息
申请号
CN202110309897.6
申请日
2020-01-03
申请公布号
CN112802845A
申请公布日
2021-05-14
授权公布号
CN112802845B
授权公告日
2023-12-12
分类号
H10B41/20;H10B41/30;H10B41/00;H10B43/20;H10B43/30;H10B43/00
分类
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
2023-12-12
授权
状态信息
授权
2021-05-14
公布
状态信息
公布
摘要
本申请公开了一种三维存储器、三维存储器的制备方法及电子设备。三维存储器包括形成在第一堆叠层上的存储堆叠层,形成在存储堆叠层中的存储结构,存储结构至少部分地贯通存储堆叠层;在存储结构朝向衬底的一侧形成有第一通孔或第二通孔,第一通孔位于核心区,第二通孔位于台阶区;形成在第一通孔和第二通孔内的外延部,第二通孔内形成的外延部采用的材料不同于第一通孔内形成的外延部采用的材料,且第二通孔内形成的外延部的底部与衬底之间间隔设有第三绝缘层。本申请提供的三维存储器的台阶区(SS)未设SEG,避免了台阶区的SEG影响功能层,从而提高三维存储器的可靠性。
更多专利
1
晶圆键合的控制方法、控制装置、处理器和键合系统
2
双堆栈三维NAND存储器以及用于形成其的方法
3
切割方法
4
半导体结构的制作方法以及半导体结构
5
3DNAND存储器件的制造方法及3DNAND存储器件
6
晶圆处理装置及方法
7
三维存储器及其制备方法
8
存储器结构
9
厚度测量方法及装置
10
两步L形选择性外延生长
11
三维存储装置及其形成方法
12
一种测试方法及装置
13
用于三维存储器的叠层结构、三维存储器及其制备方法
14
3D存储器件及其制造方法
15
半导体器件的测量方法、装置及存储介质
16
三维存储器及其制作方法
17
3D存储器件及其制造方法
18
三维存储器及其制备方法
19
一种三维存储器的制作方法及三维存储器
20
用于三维NAND存储器的固件修复
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