三维存储器及其制备方法_专利查询-品牌网

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专利状态

三维存储器及其制备方法

有效

专利申请进度

申请

2020-08-11

申请公布

2020-12-11

授权

2023-09-12

预估到期

2040-08-11

专利基础信息

申请号	CN202010811303.7	申请日	2020-08-11
申请公布号	CN112071857A	申请公布日	2020-12-11
授权公布号	CN112071857B	授权公告日	2023-09-12
分类号	H10B43/27;H10B43/35
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-09-12

授权

状态信息

授权
2020-12-29

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/1157；申请日:20200811
2020-12-11

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种三维存储器及其制备方法，该三维存储器包括背部介质层、设置于背部介质层上的半导体衬底、形成于半导体衬底上的第一沟槽和第二沟槽、形成于第一沟槽中的第一半导体材料层、形成于第一半导体材料层及半导体衬底的共同表面的第二半导体材料层、形成于所述第二半导体材料层上的栅极叠层结构；依次贯穿栅极叠层结构、第二半导体材料层并填充于第二沟槽中的分隔槽填充层以及贯穿背部介质层并与第一半导体材料层接触的导电柱。利用本发明，通过在栅线缝隙的下方形成沟槽来增加在沟槽处的牺牲材料层的厚度，从而可以增大栅线缝隙蚀刻时的工艺窗口，降低工艺难度；同时由于省去了牺牲材料层上方的顶部多晶硅层，不会影响器件的电性。

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