三维存储器器件和用于形成其的方法

热门行业
装修建材
家居生活
餐饮食品
母婴教育
电脑办公
服装首饰
汽车工具
家电数码
机械化工
休闲美容

热门行业

教育培训
板材
地板
涂料
家纺
集成吊顶
美缝剂
木门
硅藻泥
管材
指纹锁
橱柜
衣柜
床垫
电热水器
集成灶
暖气片
净水器
酒店
卫浴

返回上一页

专利状态

三维存储器器件和用于形成其的方法

有效

专利申请进度

申请

2020-11-17

申请公布

2021-09-07

授权

2023-07-21

预估到期

2040-11-17

专利基础信息

申请号	CN202080003791.7	申请日	2020-11-17
申请公布号	CN113366638A	申请公布日	2021-09-07
授权公布号	CN113366638B	授权公告日	2023-07-21
分类号	H10B41/35;H10B41/27
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-07-21

授权

状态信息

授权
2021-09-24

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/1157；申请日:20201117
2021-09-07

公布

状态信息

公布

摘要

公开了3D存储器器件和用于形成其的方法。在一个示例中，公开了用于形成3D存储器器件的方法。在衬底之上依次形成第一多晶硅层、电介质牺牲层、第二多晶硅层和电介质堆叠层。形成垂直延伸穿过电介质堆叠层、第二多晶硅层和电介质牺牲层并进入到第一多晶硅层中的沟道结构。形成垂直延伸穿过电介质堆叠层和第二多晶硅层并垂直延伸进入到电介质牺牲层中或穿过电介质牺牲层以暴露电介质牺牲层的部分的开口，以及沿着开口的侧壁的部分的多晶硅间隔体。通过开口用利用第一和第二多晶硅层之间的第三多晶硅层替换电介质牺牲层。

更多专利

全国服务热线：

在线客服

1211389656 咨询

商务合作

85926368 咨询

媒体合作

921888730 咨询

在线客服
客服微信号

品牌网官方客服微信

打开微信扫一扫

客服微信
商务合作微信

商务合作详谈

打开微信扫一扫

商务合作
回到顶部

在线客服

商务合作

媒体合作

客服微信号

商务合作微信