三维存储器及其制造方法_专利查询-品牌网

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专利状态

三维存储器及其制造方法

有效

专利申请进度

申请

2020-08-28

申请公布

2020-11-20

授权

2023-11-03

预估到期

2040-08-28

专利基础信息

申请号	CN202010884305.9	申请日	2020-08-28
申请公布号	CN111968988A	申请公布日	2020-11-20
授权公布号	CN111968988B	授权公告日	2023-11-03
分类号	H10B43/10;H10B43/35;H10B43/27
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-11-03

授权

状态信息

授权
2020-12-08

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/11565；申请日:20200828
2020-11-20

公布

状态信息

公布

摘要

本申请涉及一种三维存储器及其制造方法，该制造方法包括以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底和位于所述衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括交替堆叠的多个栅极层或伪栅极层，以及多个绝缘层，所述多个栅极层或伪栅极层包括顶部选择栅极层或顶部选择伪栅极层；以及在所述半导体结构中形成顶部选择栅极切线，其中所述顶部选择栅极切线在顶部选择栅极层或顶部选择伪栅极层中具有多个断开区，所述多个断开区的位置对应于所述顶部选择栅极切线下方的虚设沟道结构的位置。

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