• 热门行业
  • 装修建材
  • 家居生活
  • 餐饮食品
  • 母婴教育
  • 电脑办公
  • 服装首饰
  • 汽车工具
  • 家电数码
  • 机械化工
  • 休闲美容
返回上一页
专利状态
3D存储器件及其制造方法
有效
专利申请进度
申请
2018-11-20
申请公布
2019-04-05
授权
2023-08-22
预估到期
2038-11-20
专利基础信息
申请号 CN201811382025.7 申请日 2018-11-20
申请公布号 CN109585454A 申请公布日 2019-04-05
授权公布号 CN109585454B 授权公告日 2023-08-22
分类号 H10B43/40;H10B43/27;H10B41/41;H10B41/27
分类 基本电气元件;
申请人名称 长江存储科技有限责任公司
申请人地址 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
专利法律状态
  • 2023-08-22
    授权
    状态信息
    授权
  • 2019-04-30
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):H01L27/11573;申请日:20181120
  • 2019-04-05
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。该存储器件包括:半导体衬底;源极,位于半导体衬底中;栅叠层结构,位于半导体衬底上,包括交替堆叠的多个栅极导体层与多个层间绝缘层;多个沟道柱,贯穿栅叠层结构,并与半导体衬底电相连;以及导电通道,贯穿栅叠层结构,将位于半导体衬底中的源极引出形成公共源极线,导电通道包括:导电层,至少部分位于半导体衬底上;氧化层,至少部分位于导电层上;以及多个导电柱,贯穿氧化层并与导电层接触,其中,多个导电柱的延伸方向与导电通道的延伸方向相同。该3D存储器件不仅采用氧化层中和了应力,而且采用导电柱与导电层结合的方式减小了电阻。