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专利状态
3D存储器件及其制造方法
有效
专利申请进度
申请
2018-11-20
申请公布
2019-04-05
授权
2023-08-22
预估到期
2038-11-20
专利基础信息
申请号
CN201811382025.7
申请日
2018-11-20
申请公布号
CN109585454A
申请公布日
2019-04-05
授权公布号
CN109585454B
授权公告日
2023-08-22
分类号
H10B43/40;H10B43/27;H10B41/41;H10B41/27
分类
基本电气元件;
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
专利法律状态
2023-08-22
授权
状态信息
授权
2019-04-30
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L27/11573;申请日:20181120
2019-04-05
公布
状态信息
公布
摘要
本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。该存储器件包括:半导体衬底;源极,位于半导体衬底中;栅叠层结构,位于半导体衬底上,包括交替堆叠的多个栅极导体层与多个层间绝缘层;多个沟道柱,贯穿栅叠层结构,并与半导体衬底电相连;以及导电通道,贯穿栅叠层结构,将位于半导体衬底中的源极引出形成公共源极线,导电通道包括:导电层,至少部分位于半导体衬底上;氧化层,至少部分位于导电层上;以及多个导电柱,贯穿氧化层并与导电层接触,其中,多个导电柱的延伸方向与导电通道的延伸方向相同。该3D存储器件不仅采用氧化层中和了应力,而且采用导电柱与导电层结合的方式减小了电阻。
更多专利
1
晶圆结构及其制备方法、三维存储器、电子设备
2
3D存储器件及其制造方法
3
三维存储器及其制备方法
4
混合晶圆键合方法及其结构
5
半导体结构及其制备方法
6
存储器及其形成方法、存储器的存储单元的选择方法
7
半导体器件的测量方法、装置及存储介质
8
3DNAND存储器件的制造方法及3DNAND存储器件
9
三维存储器器件以及用于形成所述三维存储器器件的方法
10
半导体器件及其制作方法
11
一种膜层生长方法及设备
12
样本密度分布的相似判定方法、装置、电子设备及存储介质
13
用于三维存储器的叠层结构、三维存储器及其制备方法
14
3D存储器中的堆叠连接件及其制造方法
15
半导体结构的形成方法
16
具有处理器和异构存储器的一体化半导体器件及其形成方法
17
一种三维存储器及其制作方法
18
三维存储装置及其形成方法
19
3D存储器件的制造方法及3D存储器件
20
三维存储器
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