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专利状态
具有氢阻挡层的三维存储设备及其制造方法
有效
专利申请进度
申请
2019-10-12
申请公布
2021-04-09
授权
2023-08-08
预估到期
2039-10-12
专利基础信息
申请号 CN202011527127.0 申请日 2019-10-12
申请公布号 CN112635476A 申请公布日 2021-04-09
授权公布号 CN112635476B 授权公告日 2023-08-08
分类号 H10B41/41;H10B41/27;H10B43/40;H10B43/27;H01L23/29
分类 基本电气元件;
申请人名称 长江存储科技有限责任公司
申请人地址 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
  • 2023-08-08
    授权
    状态信息
    授权
  • 2021-04-27
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):H01L27/11529;申请日:20191012
  • 2021-04-09
    公布
    状态信息
    公布
摘要
公开了具有氢阻挡层的三维(3D)存储设备及其制造方法的实施例。在一个示例中,一种3D存储设备包括:衬底;存储叠层,其包括在衬底上方交错的导电层和电介质层;NAND存储串的阵列,每个NAND存储串垂直延伸穿过存储叠层;多个逻辑处理兼容器件,其在NAND存储串的阵列上方;半导体层,其在逻辑处理兼容器件上方并与所述逻辑处理兼容器件接触;焊盘引出互连层,其在半导体层上方;以及氢阻挡层,其垂直位于半导体层与焊盘引出互连层之间,并被配置为阻挡氢排出。