晶圆结构及其制备方法、三维存储器、电子设备

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专利状态

晶圆结构及其制备方法、三维存储器、电子设备

有效

专利申请进度

申请

2021-03-24

申请公布

2021-07-06

授权

2023-10-31

预估到期

2041-03-24

专利基础信息

申请号	CN202110315251.9	申请日	2021-03-24
申请公布号	CN113078061A	申请公布日	2021-07-06
授权公布号	CN113078061B	授权公告日	2023-10-31
分类号	H01L21/324;H10B41/20;H10B43/20
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-10-31

授权

状态信息

授权
2021-07-23

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/324；申请日:20210324
2021-07-06

公布

状态信息

公布

摘要

本申请提供了一种晶圆结构，所述晶圆结构包括晶圆及薄膜层，所述薄膜层设置于所述晶圆的一侧，所述薄膜层包括至少一个第一薄膜部及至少一个第二薄膜部，所述第一薄膜部连接所述第二薄膜部，且所述第一薄膜部与所述第二薄膜部的翘曲程度不同。通过工艺技术可对所述薄膜层的不同位置进行定制化翘曲，使得所述薄膜层形成多个所述第一薄膜部及多个所述第二薄膜部，从而控制所述晶圆结构的翘曲程度，则可以实现不同径向上的翘曲程度相同，且避免翘曲程度过大。本申请还提供了一种晶圆制备方法、三维存储器及电子设备。

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