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专利状态
存储结构、三维存储器及其制造方法
有效
专利申请进度
申请
2020-12-14
申请公布
2021-04-06
授权
2024-02-23
预估到期
2040-12-14
专利基础信息
申请号
CN202011466326.5
申请日
2020-12-14
申请公布号
CN112614839A
申请公布日
2021-04-06
授权公布号
CN112614839B
授权公告日
2024-02-23
分类号
H10B41/10;H10B41/30;H10B41/27;H10B43/10;H10B43/30;H10B43/27
分类
基本电气元件;
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
2024-02-23
授权
状态信息
授权
2021-04-23
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L27/11519;申请日:20201214
2021-04-06
公布
状态信息
公布
摘要
本发明提供一种存储结构、三维存储器及其制造方法,将用来划分相邻两个块结构的栅线分隔槽去掉,仅保留对块结构内部进行区划的栅线分隔槽,去除伪栅极层时会保留部分,保留的伪栅极层形成了隔离结构,通过该隔离结构可区划隔绝不同的块结构;保留的伪栅极层将相邻的块结构连在一起,使结构更稳固,增加了对堆栈结构的支撑,提高了器件的良率;块结构之间的栅线分隔槽被省略,降低了栅线分隔槽的刻蚀工作量,减少了热过程,由此减少了衬底应力的改变和翘曲,提高了成膜质量;块结构之间的栅线分隔槽被省略,减小了栅线分隔槽的占用面积,在相同存储容量的基础上节省了芯片面积,有利于器件的高密度和结构小型化设计。
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1
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