半导体器件的量测方法_专利查询-品牌网

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专利状态

半导体器件的量测方法

有效

专利申请进度

申请

2021-09-14

申请公布

2021-12-21

授权

2024-02-20

预估到期

2041-09-14

专利基础信息

申请号	CN202111073814.4	申请日	2021-09-14
申请公布号	CN113820578A	申请公布日	2021-12-21
授权公布号	CN113820578B	授权公告日	2024-02-20
分类号	G01R31/26;G01N23/2251;G01N23/04;G01N23/20;CN102062710A,2011.05.18;CN103760177A,2014.04.30;CN104777024A,2015.07.15;CN109920742A,2019.06.21;CN112630238A,2021.04.09;CN109084721A,2018.12.25;US6248603B1,2001.06.19;US2018218878A1,2018.08.02;CN102047405A,2011.05
分类	测量；测试;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2024-02-20

授权

状态信息

授权
2022-01-07

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):G01R31/26；申请日:20210914
2021-12-21

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供了一种半导体器件的量测方法，包括：提供半导体器件，半导体器件包括衬底和位于衬底上的半导体结构；依据半导体结构的参考标记设定，在图像处理软件中生成一个标记图；利用聚焦离子束在半导体结构上依据标记图同时生成多个实体标记；利用透射电子显微镜获取半导体结构的TEM图像，并根据多个实体标记，对半导体结构进行尺寸量测，通过该方法能自动快速标记半导体结构，以节省人力时间和降低成本。

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