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专利状态

三维存储器及其制造方法

有效

专利申请进度

申请

2018-06-29

申请公布

2018-10-26

授权

2023-12-08

预估到期

2038-06-29

专利基础信息

申请号	CN201810714018.6	申请日	2018-06-29
申请公布号	CN108711572A	申请公布日	2018-10-26
授权公布号	CN108711572B	授权公告日	2023-12-08
分类号	H10B43/20;H10B43/40;H10B41/20;H10B41/41
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室

专利法律状态

2023-12-08

授权

状态信息

授权
2018-11-20

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/115；申请日:20180629
2018-10-26

公布

状态信息

公布

摘要

本发明涉及一种三维存储器及其制造方法。该方法包括以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构具有核心区和阶梯区，且包括衬底和位于所述衬底上的堆叠层；在所述阶梯区上形成掩模图案，所述掩模图案包括分离的第一掩模层和第二掩模层；使用所述掩模图案去除所述堆叠层的预定厚度，而在所述第一掩模层的第一边缘和所述第二掩模层的四周形成初始阶梯；修整所述掩模图案，使所述第一掩模层的第一边缘向靠近所述核心区的方向缩小，且使所述第二掩模层从四周向中心缩小；以及使用修整后的掩模图案去除所述堆叠层的预定厚度，而在所述初始阶梯的位置形成第一阶梯，且在所述第一掩模层的第一边缘和所述第二掩模层的四周形成第二阶梯。

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