一种三维存储器及其制作方法

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专利状态

一种三维存储器及其制作方法

有效

专利申请进度

申请

2020-12-25

申请公布

2021-04-20

授权

2023-07-18

预估到期

2040-12-25

专利基础信息

申请号	CN202011568066.2	申请日	2020-12-25
申请公布号	CN112687694A	申请公布日	2021-04-20
授权公布号	CN112687694B	授权公告日	2023-07-18
分类号	H10B41/10;H10B41/35;H10B41/20;H10B43/10;H10B43/35;H10B43/20
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-07-18

授权

状态信息

授权
2021-05-07

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/11519；申请日:20201225
2021-04-20

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种三维存储器及其制作方法，该三维存储器包括堆叠结构、栅线缝隙结构、绝缘隔断结构、第一触点结构及第二触点结构，其中，堆叠结构划分为多个存储区块，存储区块包括挡墙结构及相邻设置的下层阶梯结构，多个第一触点结构分布于第一及第四阶梯结构的台阶上，并与相应台阶中底部选择栅层连接；多个第二触点结构分布于第二或/及第三阶梯结构的台阶上，并与相应台阶中的底部选择栅层连接。本发明为放置挡墙结构的指状结构设计独立的阶梯结构，从而可以引出挡墙结构所在指状结构的底部选择栅，当底部选择栅层为多层时，可以较容易地实现指状结构控制，绝缘隔断结构可以通过简单的BSG切口或虚设沟道孔实现，不用非常复杂，降低了工艺难度。

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