半导体器件的制造方法_专利查询-品牌网

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专利状态

半导体器件的制造方法

有效

专利申请进度

申请

2020-03-23

申请公布

2020-07-07

授权

2023-07-28

预估到期

2040-03-23

专利基础信息

申请号	CN202010207587.9	申请日	2020-03-23
申请公布号	CN111383992A	申请公布日	2020-07-07
授权公布号	CN111383992B	授权公告日	2023-07-28
分类号	H01L21/768;H01L23/528
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-07-28

授权

状态信息

授权
2020-07-31

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/768；申请日:20200323
2020-07-07

公布

状态信息

公布

摘要

本发明涉及一种半导体器件的制造方法，包括：提供第一晶圆，第一晶圆上暴露有第一导电层；在第一晶圆以及第一导电层上形成第一氧化层；在第一氧化层中形成一体成型的第一互联通道和第一虚拟通道，其中，第一互联通道沿垂直于所述第一导电层的方向上的宽度实质相同，第一互联通道与第一导电层接触，且第一虚拟通道的高度小于第一互联通道的高度，使得第一虚拟通道与第一导电层间隔；提供第二晶圆，第二晶圆的结构与第一晶圆相似，其中形成第二互联通道和第二虚拟通道；以及键合第一晶圆和第二晶圆，使第一互联通道和第二互联通道相互接触从而连通第一导电层和第二导电层。该制造方法减少了晶圆键合中的工艺步骤，降低了生产成本。

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