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专利状态

半导体结构及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2018-06-21

申请公布

2018-09-14

授权

2024-01-16

预估到期

2038-06-21

专利基础信息

申请号	CN201810642249.0	申请日	2018-06-21
申请公布号	CN108538848A	申请公布日	2018-09-14
授权公布号	CN108538848B	授权公告日	2024-01-16
分类号	H10B43/35;H10B69/00
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室

专利法律状态

2024-01-16

授权

状态信息

授权
2018-10-16

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/1157；申请日:20180621
2018-09-14

公布

状态信息

公布

摘要

本发明涉及一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供基底，所述基底包括第一堆叠结构、贯穿所述第一堆叠结构的第一沟道孔结构，所述第一沟道孔结构顶部还形成有半导体层；在所述基底表面形成第二堆叠结构；形成贯穿所述第二堆叠结构以及部分深度的半导体层的第二沟道孔；对所述第二沟道孔底部的半导体层表面进行氧化处理，形成氧化层；形成覆盖所述第二沟道孔内壁的功能层；去除位于所述第二沟道孔底部的功能层和氧化层，形成第二功能层，并暴露出氧化层下的半导体层；在所述第二功能层表面以及暴露的半导体层表面形成第二沟道层。上述方法能够提高半导体层的质量，从而半导体结构的性能。

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