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专利状态
三维存储器及其制作方法
有效
专利申请进度
申请
2021-09-14
申请公布
2021-12-14
授权
2023-08-08
预估到期
2041-09-14
专利基础信息
申请号
CN202111076871.8
申请日
2021-09-14
申请公布号
CN113793854A
申请公布日
2021-12-14
授权公布号
CN113793854B
授权公告日
2023-08-08
分类号
H10B43/35;H10B43/40;H10B43/50;H10B43/27;H10B80/00
分类
基本电气元件;
申请人名称
长江存储科技有限责任公司
申请人地址
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
专利法律状态
2023-08-08
授权
状态信息
授权
2021-12-31
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L27/1157;申请日:20210914
2021-12-14
公布
状态信息
公布
摘要
本发明提供了一种三维存储器及其制作方法。该制作方法包括:提供表面具有栅极堆叠结构的第一衬底,且栅极堆叠结构中具有贯穿至第一衬底的沟道结构;对第一衬底进行背面减薄,并使沟道结构形成贯穿出第一衬底的第一端部;对第一衬底进行背面减薄,并使沟道结构形成贯穿出第一衬底的第一端部;在非晶氧化物半导体层中形成引线孔,并在引线孔中形成引线部。由于本发明采用非晶氧化物半导体层代替上述结晶后形成的掺杂多晶硅层,从而无需进行退火工艺,且该类材料的沉积温度通常低于400℃,对材料的损伤很低,使得非晶氧化物半导体层不易出现表面缺陷,具有较低的表面粗糙度,从而无需再进行表面平坦化处理,减少了工艺步骤,降低了工艺成本。
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