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专利状态
3D存储器件及其制造方法
有效
专利申请进度
申请
2019-10-14
申请公布
2020-01-10
授权
2023-08-08
预估到期
2039-10-14
专利基础信息
申请号 CN201910972636.5 申请日 2019-10-14
申请公布号 CN110676256A 申请公布日 2020-01-10
授权公布号 CN110676256B 授权公告日 2023-08-08
分类号 H10B41/35;H10B41/27;H10B43/35;H10B43/27
分类 基本电气元件;
申请人名称 长江存储科技有限责任公司
申请人地址 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
专利法律状态
  • 2023-08-08
    授权
    状态信息
    授权
  • 2020-02-11
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):H01L27/11524;申请日:20191014
  • 2020-01-10
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。该3D存储器件包括:衬底;位于衬底上方的栅叠层结构,栅叠层结构包括交替堆叠的多个栅极导体和多个层间绝缘层;贯穿栅叠层结构的多个沟道柱;以及贯穿栅叠层结构的导电通道,其中,导电通道的至少部分底面为曲面。该3D存储器件中的导电通道的至少部分底面为曲面,提高了导电通道底面轮廓的均匀性,从而可以实现更优的电气参数,提高了3D存储器件的良率和可靠性。