半导体器件及其制备方法_专利查询-品牌网

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专利状态

半导体器件及其制备方法

有效

专利申请进度

申请

2020-11-19

申请公布

2021-02-26

授权

2023-11-03

预估到期

2040-11-19

专利基础信息

申请号	CN202011300897.1	申请日	2020-11-19
申请公布号	CN112420843A	申请公布日	2021-02-26
授权公布号	CN112420843B	授权公告日	2023-11-03
分类号	H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2023-11-03

授权

状态信息

授权
2021-03-16

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L29/78；申请日:20201119
2021-02-26

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括：半导体衬底；阱区设置在半导体衬底中；栅极设置于半导体衬底上，且栅极在半导体衬底的厚度方向上与阱区的一部分重叠，以在阱区中定义沟道区；重掺杂源极区及重掺杂漏极区设置在阱区中，且位于沟道区的两侧，轻掺杂漏区设置在阱区中，且位于重掺杂源极区与沟道区之间及重掺杂漏极区与沟道区之间；栅氧化层设置在半导体衬底上，位于栅极与阱区之间，且在半导体衬底的厚度方向上栅氧化层与轻掺杂漏区至少部分重叠；隔离层设置在轻掺杂漏区与栅氧化层之间，隔离层的导电类型与轻掺杂漏区的导电类型互补。本发明减小了界面缺陷对轻掺杂漏区的影响，提高了半导体器件的可靠性等性能。

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