半导体器件及其形成方法_专利查询-品牌网

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专利状态

半导体器件及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2020-05-28

申请公布

2021-12-03

授权

2023-12-22

预估到期

2040-05-28

专利基础信息

申请号	CN202010469293.3	申请日	2020-05-28
申请公布号	CN113745113A	申请公布日	2021-12-03
授权公布号	CN113745113B	授权公告日	2023-12-22
分类号	H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区张江路18号

专利法律状态

2023-12-22

授权

状态信息

授权
2021-12-03

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体器件及其形成方法，包括：提供基底，基底上具有若干分立排布的沟道柱，沟道柱包括真沟道柱与伪沟道柱；在基底表面、沟道柱的侧壁和顶部上形成牺牲层；在牺牲层上形成图形化层，暴露出伪沟道柱侧壁和顶部的牺牲层以及位于真沟道柱与伪沟道柱之间的基底上的部分牺牲层；形成图形化层之后，去除暴露出的牺牲层以及位于牺牲层底部的伪沟道柱，至暴露出基底表面。本发明的形成方法可以提升沟道栅极环绕结构鳍式场效应晶体管的性能。

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