半导体结构的及其形成方法

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专利状态

半导体结构的及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2020-08-14

申请公布

2022-02-22

授权

2024-03-22

预估到期

2040-08-14

专利基础信息

申请号	CN202010819887.2	申请日	2020-08-14
申请公布号	CN114078760A	申请公布日	2022-02-22
授权公布号	CN114078760B	授权公告日	2024-03-22
分类号	H01L21/8234;H01L27/088
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号

专利法律状态

2024-03-22

授权

状态信息

授权
2022-03-11

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/8234；申请日:20200814
2022-02-22

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底上有栅极结构，栅极结构两侧基底内有源漏掺杂层，基底上有第一介质层，覆盖栅极结构顶部，第一介质层顶部有硬掩膜材料层，基底包括多个相邻的器件单元区；刻蚀栅极结构两侧的硬掩膜材料层，保留器件单元区交界处和栅极结构上方的作为硬掩膜层；以硬掩膜层为掩膜刻蚀第一介质层，形成露出源漏掺杂层顶部的开口；在开口露出的源漏掺杂层顶部形成底部源漏插塞；在底部源漏插塞顶部形成第二介质层，覆盖硬掩膜层侧壁；形成贯穿第二介质层且与底部源漏插塞相接触的顶部源漏插塞，相邻器件单元区的顶部源漏插塞通过硬掩膜层相隔离。本发明通过硬掩膜层提高顶部源漏插塞与底部源漏插塞的对准精度。

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