半导体结构及其形成方法_专利查询-品牌网

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专利状态

半导体结构及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2020-07-06

申请公布

2022-01-07

授权

2023-12-22

预估到期

2040-07-06

专利基础信息

申请号	CN202010641653.3	申请日	2020-07-06
申请公布号	CN113903806A	申请公布日	2022-01-07
授权公布号	CN113903806B	授权公告日	2023-12-22
分类号	H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区张江路18号

专利法律状态

2023-12-22

授权

状态信息

授权
2022-01-07

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体结构及其形成方法，包括：衬底，衬底包括隔离区、第一器件区和第二器件区；位于衬底上的若干第一鳍部和若干第二鳍部，所述第一鳍部自第一器件区上横跨隔离区并延伸至第二器件区上，所述第二鳍部位于第一器件区上和第二器件区上；位于第一器件区上的栅极结构；位于栅极结构的两侧的第一源漏掺杂层和第二源漏掺杂层。通过位于衬底上的若干第一鳍部，第一鳍部自第一器件区上横跨隔离区并延伸至第二器件区上，使得部分由所述第二器件区到第一器件区的电流可直接通过第一鳍部导通，在较少降低击穿电压的同时，提升横向双扩散场效应管的高频特性，进而提升最终形成的半导体结构的性能。

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