半导体结构及其形成方法_专利查询-品牌网

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专利状态

半导体结构及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2019-11-08

申请公布

2021-05-11

授权

2023-12-12

预估到期

2039-11-08

专利基础信息

申请号	CN201911087743.6	申请日	2019-11-08
申请公布号	CN112786452A	申请公布日	2021-05-11
授权公布号	CN112786452B	授权公告日	2023-12-12
分类号	H01L21/336;H01L29/78
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号

专利法律状态

2023-12-12

授权

状态信息

授权
2021-05-11

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：形成基底，基底包括衬底和位于衬底上的初始鳍部，所述初始鳍部包括初始底鳍部和位于初始底鳍部上的顶鳍部；在所述顶鳍部的侧壁形成保护层，形成所述保护层之后；对初始底鳍部的侧壁进行氧化处理，初始底鳍部的侧壁上被氧化的部分作为氧化层，剩余的初始底鳍部作为底鳍部，底鳍部和顶鳍部作为鳍部；去除氧化层和保护层；在底鳍部露出的衬底上形成隔离层，隔离层的顶部低于底鳍部的顶部；在隔离层上形成横跨鳍部的栅极结构。本发明实施例，栅极结构覆盖顶鳍部的部分侧壁表面和部分底部表面，以及高于隔离层的底鳍部的部分侧壁，从而栅极结构覆盖的鳍部的面积较大，有利于提高栅极结构对沟道的控制能力。

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