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专利状态
半导体结构及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2018-11-16
申请公布
2020-05-26
授权
2024-01-30
预估到期
2038-11-16
专利基础信息
申请号 CN201811372225.4 申请日 2018-11-16
申请公布号 CN111200017A 申请公布日 2020-05-26
授权公布号 CN111200017B 授权公告日 2024-01-30
分类号 H01L29/78;H01L23/528;H01L21/768;H01L21/336
分类 基本电气元件;
申请人名称 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
专利法律状态
  • 2024-01-30
    授权
    状态信息
    授权
  • 2020-06-19
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):H01L29/78;申请日:20181116
  • 2020-05-26
    公布
    状态信息
    公布
摘要
一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底,基底上形成有栅极结构,栅极结构两侧的基底内形成有源漏掺杂层,栅极结构露出的基底上形成有介质层,介质层覆盖栅极结构顶部;在栅极结构两侧的介质层内形成露出源漏掺杂层顶部的第一接触孔;在第一接触孔内形成与源漏掺杂层电连接的第一导电层,第一导电层顶部低于栅极结构顶部;形成第一导电层后,在第一导电层露出的第一接触孔侧壁上形成侧壁层;形成侧壁层后,在第一接触孔内形成第二导电层,第二导电层和第一导电层用于构成第一接触孔插塞。本发明实施例有利于降低第一接触孔插塞与源漏掺杂层的接触电阻以及提高第一接触孔插塞和栅极结构之间的击穿电压,提升了半导体结构的电学性能。