首页
品牌
排行
问答
专题
特惠
资讯
展会
百科
热门行业
装修建材
家居生活
餐饮食品
母婴教育
电脑办公
服装首饰
汽车工具
家电数码
机械化工
休闲美容
热门行业
教育培训
板材
地板
涂料
家纺
集成吊顶
美缝剂
木门
硅藻泥
管材
指纹锁
橱柜
衣柜
床垫
电热水器
集成灶
暖气片
净水器
酒店
卫浴
装修建材
卫浴洁具
板材
地板
建筑陶瓷
天花板
涂料
瓷砖泥瓦
水电管材
火锅
快餐
生活用品
软装
装饰装潢
灯具
家纺
干洗服务
内衣
男装
女装
幼教
整体卫浴
地板砖
阻燃板
铝材
集成吊顶
美缝剂
硅藻泥
管材
烤鱼
汉堡
叶酸
婴儿用品
婴儿床
指纹锁
品牌首页
品牌资讯
企业信息
商标信息
专利信息
返回上一页
专利状态
半导体结构及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2018-11-16
申请公布
2020-05-26
授权
2024-01-30
预估到期
2038-11-16
专利基础信息
申请号
CN201811372225.4
申请日
2018-11-16
申请公布号
CN111200017A
申请公布日
2020-05-26
授权公布号
CN111200017B
授权公告日
2024-01-30
分类号
H01L29/78;H01L23/528;H01L21/768;H01L21/336
分类
基本电气元件;
申请人名称
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
专利法律状态
2024-01-30
授权
状态信息
授权
2020-06-19
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L29/78;申请日:20181116
2020-05-26
公布
状态信息
公布
摘要
一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底,基底上形成有栅极结构,栅极结构两侧的基底内形成有源漏掺杂层,栅极结构露出的基底上形成有介质层,介质层覆盖栅极结构顶部;在栅极结构两侧的介质层内形成露出源漏掺杂层顶部的第一接触孔;在第一接触孔内形成与源漏掺杂层电连接的第一导电层,第一导电层顶部低于栅极结构顶部;形成第一导电层后,在第一导电层露出的第一接触孔侧壁上形成侧壁层;形成侧壁层后,在第一接触孔内形成第二导电层,第二导电层和第一导电层用于构成第一接触孔插塞。本发明实施例有利于降低第一接触孔插塞与源漏掺杂层的接触电阻以及提高第一接触孔插塞和栅极结构之间的击穿电压,提升了半导体结构的电学性能。
更多专利
1
半导体结构的及其形成方法
2
半导体结构及其形成方法
3
一种光罩的缺陷修复方法及光罩
4
半导体器件及其形成方法
5
一种半导体器件及形成方法
6
一种光罩的缺陷修复方法及光罩
7
掩膜版及三重图形化的方法
8
鳍式场效应管的制备方法、鳍式场效应管及硅衬底
9
半导体结构及其形成方法
10
半导体结构及其形成方法
11
半导体结构及其形成方法
12
一种延时电路
13
半导体结构及其形成方法
14
CMOS全加器和多位全加器
15
半导体器件及其形成方法
16
半导体结构及其形成方法
17
半导体结构的形成方法、晶体管
18
半导体结构及其形成方法
19
一种半导体结构及形成方法
20
半导体结构的形成方法以及阻变式存储器
全国服务热线:
在线客服
1211389656
咨询
商务合作
85926368
咨询
媒体合作
921888730
咨询
在线客服
客服微信号
品牌网官方客服微信
打开微信扫一扫
客服微信
商务合作微信
商务合作详谈
打开微信扫一扫
商务合作
回到顶部