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专利状态
半导体结构及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2019-06-28
申请公布
2020-12-29
授权
2023-12-12
预估到期
2039-06-28
专利基础信息
申请号
CN201910577072.5
申请日
2019-06-28
申请公布号
CN112151378A
申请公布日
2020-12-29
授权公布号
CN112151378B
授权公告日
2023-12-12
分类号
H01L21/336;H01L29/10;H01L29/78
分类
基本电气元件;
申请人名称
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
专利法律状态
2023-12-12
授权
状态信息
授权
2020-12-29
公布
状态信息
公布
摘要
一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底,所述基底上依次形成有多个沟道叠层,每一个所述沟道叠层包括牺牲层和位于所述牺牲层上的沟道层;形成横跨所述沟道叠层的栅极结构,所述栅极结构覆盖所述沟道叠层的部分顶部和部分侧壁;刻蚀所述栅极结构两侧的沟道叠层,使所述多个沟道叠层沿所述栅极结构顶部指向所述基底的方向上,所述沟道层的端部依次缩进,剩余所述沟道叠层与所述基底围成凹槽;在所述凹槽内形成源漏掺杂层。本发明实施例满足半导体结构能够应用于具有不同工作电压的电路的需求。
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