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专利状态

半导体结构及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2019-10-21

申请公布

2021-05-07

授权

2024-03-19

预估到期

2039-10-21

专利基础信息

申请号	CN201910999419.5	申请日	2019-10-21
申请公布号	CN112768407A	申请公布日	2021-05-07
授权公布号	CN112768407B	授权公告日	2024-03-19
分类号	H01L21/8234;H01L27/088
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号

专利法律状态

2024-03-19

授权

状态信息

授权
2021-05-25

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/8234；申请日:20191021
2021-05-07

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的所述基底中形成沟槽；在所述沟槽的底面和侧壁上形成阻挡层，所述阻挡层中掺杂有第一型离子；形成所述阻挡层后，在所述沟槽中形成源漏掺杂层，所述源漏掺杂层中掺杂有第二型离子，所述第一型离子与所述第二型离子的导电类型不同。所述阻挡层中的第一型离子与源漏掺杂层中的第二型离子的导电类型不同，使得源漏掺杂层中的第二型离子不易穿过所述阻挡层扩散到沟道区中，因此，在半导体结构工作时，源漏掺杂层的耗尽层不易扩展，从而使得栅极结构两侧的所述源漏掺杂层之间不易发生穿通，进而有利于提高半导体结构的电学性能。

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