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专利状态

半导体器件及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2019-03-01

申请公布

2020-09-08

授权

2023-10-27

预估到期

2039-03-01

专利基础信息

申请号	CN201910156241.8	申请日	2019-03-01
申请公布号	CN111640669A	申请公布日	2020-09-08
授权公布号	CN111640669B	授权公告日	2023-10-27
分类号	H01L21/311;H01L21/033
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区张江路18号

专利法律状态

2023-10-27

授权

状态信息

授权
2020-10-02

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/311；申请日:20190301
2020-09-08

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体器件及其形成方法，其中，形成方法包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层包括若干相互分立的第一区，若干相互分立的所述第一区沿第一方向排布；在所述待刻蚀层的第一区内形成分割目标槽；在所述分割目标槽内形成分割结构，所述分割结构材料的介电常数大于待刻蚀层材料的介电常数；在所述待刻蚀层的第一区内形成第一目标槽，所述第一目标槽在第二方向上被分割结构切断，且所述第二方向与第一方向垂直。所形成的半导体器件的性能较好。

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