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专利状态
一种半导体器件及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2019-04-03
申请公布
2020-10-16
授权
2023-10-24
预估到期
2039-04-03
专利基础信息
申请号
CN201910267991.2
申请日
2019-04-03
申请公布号
CN111785631A
申请公布日
2020-10-16
授权公布号
CN111785631B
授权公告日
2023-10-24
分类号
H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423
分类
基本电气元件;
申请人名称
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
专利法律状态
2023-10-24
授权
状态信息
授权
2020-10-16
公布
状态信息
公布
摘要
本发明提供一种半导体器件的形成方法,提供衬底,衬底包括依次设置的第一衬底层、第二衬底层和第三衬底层,在第三衬底层远离第二衬底层的一端形成掩膜层图案和氧化隔离层;沿氧化物隔离层的外侧依次刻蚀第三衬底层、第二衬底层和第一衬底层,形成隔离沟槽;移除掩膜层图案,沿氧化物隔离层的内侧刻蚀第三衬底层;移除第二衬底层;环绕刻蚀后的第三衬底层沉积隔离层。与现有技术相比,该方法制作出的半导体器件,相比于现有技术中的半导体器件其栅极面积增大,与其他器件连接时的接触面积较大,并且可以有效地避免短沟道效应,其使用效果更佳。进一步地,本发明还提供一种基于该半导体器件的形成方法得到的半导体器件。
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