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专利状态
半导体结构及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2019-02-26
申请公布
2020-09-01
授权
2024-03-22
预估到期
2039-02-26
专利基础信息
申请号
CN201910142892.1
申请日
2019-02-26
申请公布号
CN111613534A
申请公布日
2020-09-01
授权公布号
CN111613534B
授权公告日
2024-03-22
分类号
H01L21/336;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78
分类
基本电气元件;
申请人名称
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址
上海市浦东新区张江路18号
专利法律状态
2024-03-22
授权
状态信息
授权
2020-09-25
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L21/336;申请日:20190226
2020-09-01
公布
状态信息
公布
摘要
一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括提供半导体衬底,所述半导体衬底具有第一区域、第二区域及隔离区域,所述第二区域通过所述第一区域与所述隔离区域相隔;在所述半导体衬底上形成栅极结构,所述栅极结构横跨所述第一区域和所述第二区域,且所述栅极结构位于所述第一区域部分的宽度大于位于所述第二区域部分的宽度。半导体器件的有源区与隔离结构的交界处往往会产生较大应力,使得出现通道效应;所述第一区域为有源区上容易出现所述通道效应的区域,将此位置的栅极结构宽度改变,使所述第一区域的沟道长度较长,较长的沟道长度避免源极与漏极之间贯通在一起,这样以来,漏电引起器件失效也就无法发生。
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