半导体结构及半导体结构的形成方法

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专利状态

半导体结构及半导体结构的形成方法

有效

专利申请进度

申请

2020-01-08

申请公布

2021-07-09

授权

2023-10-20

预估到期

2040-01-08

专利基础信息

申请号	CN202010019475.0	申请日	2020-01-08
申请公布号	CN113097301A	申请公布日	2021-07-09
授权公布号	CN113097301B	授权公告日	2023-10-20
分类号	H01L29/78;H01L21/336
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区张江路18号

专利法律状态

2023-10-20

授权

状态信息

授权
2021-07-27

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L29/78；申请日:20200108
2021-07-09

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体结构及形成方法，包括：提供包括第一区、第二区和第三区的衬底；在第一区形成若干具有第一离子的第一纳米线的第一初始鳍部结构；在第二区形成若干具有第一离子的第二纳米线的第二鳍部结构；在第三区形成具有第三离子的初始第一掺杂层，第三离子的导电类型与第一离子的导电类型相反；在第一区形成源掺杂层，源掺杂层与初始第一掺杂层分别位于第一纳米线两端；在第二区形成漏掺杂层，漏掺杂层与初始第一掺杂层分别位于第二纳米线两端；向初始第一掺杂层掺入与第三离子导电类型相反的第四离子，形成具有与第一离子导电类型相反的第二离子的第一掺杂层；在第一区形成环绕第一纳米线的第一栅极结构。所述方法形成的半导体结构性能得到提升。

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