首页
品牌
排行
问答
专题
特惠
资讯
展会
百科
热门行业
装修建材
家居生活
餐饮食品
母婴教育
电脑办公
服装首饰
汽车工具
家电数码
机械化工
休闲美容
热门行业
教育培训
板材
地板
涂料
家纺
集成吊顶
美缝剂
木门
硅藻泥
管材
指纹锁
橱柜
衣柜
床垫
电热水器
集成灶
暖气片
净水器
酒店
卫浴
装修建材
卫浴洁具
板材
地板
建筑陶瓷
天花板
涂料
瓷砖泥瓦
水电管材
火锅
快餐
生活用品
软装
装饰装潢
灯具
家纺
干洗服务
内衣
男装
女装
幼教
整体卫浴
地板砖
阻燃板
铝材
集成吊顶
美缝剂
硅藻泥
管材
烤鱼
汉堡
叶酸
婴儿用品
婴儿床
指纹锁
品牌首页
品牌资讯
企业信息
商标信息
专利信息
返回上一页
专利状态
半导体结构的形成方法
有效
专利申请进度
申请
2020-03-05
申请公布
2021-09-07
授权
2023-12-22
预估到期
2040-03-05
专利基础信息
申请号
CN202010146871.X
申请日
2020-03-05
申请公布号
CN113363145A
申请公布日
2021-09-07
授权公布号
CN113363145B
授权公告日
2023-12-22
分类号
H01L21/28;H01L21/285;H01L21/336;H01L29/10;H01L29/78
分类
基本电气元件;
申请人名称
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址
上海市浦东新区张江路18号
专利法律状态
2023-12-22
授权
状态信息
授权
2021-09-07
公布
状态信息
公布
摘要
一种半导体结构的形成方法,包括:提供基底;在所述基底表面形成源漏掺杂层;在所述源漏掺杂层表面沉积形成绝缘层;形成所述绝缘层之后,在部分所述源漏掺杂层表面形成沟道柱,且所述沟道柱贯穿所述绝缘层。所述方法形成的半导体结构的性能较好。
更多专利
1
半导体结构及其形成方法
2
半导体结构和半导体结构的形成方法
3
半导体结构及其形成方法
4
半导体结构及其形成方法
5
半导体结构及其形成方法
6
半导体器件及其形成方法
7
一种半导体器件及其制造方法和电子装置
8
LDMOS器件及其形成方法
9
半导体结构及其形成方法
10
半导体结构及其形成方法
11
刻蚀方法
12
半导体结构及其形成方法
13
SRAM中工艺角分析模型的生成方法及工艺角的确定方法
14
半导体结构及其形成方法
15
半导体结构及其形成方法
16
半导体结构及其形成方法
17
半导体结构及其形成方法
18
半导体结构及其形成方法
19
半导体器件及其形成方法
20
半导体结构及其形成方法
全国服务热线:
在线客服
1211389656
咨询
商务合作
85926368
咨询
媒体合作
921888730
咨询
在线客服
客服微信号
品牌网官方客服微信
打开微信扫一扫
客服微信
商务合作微信
商务合作详谈
打开微信扫一扫
商务合作
回到顶部