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专利状态
半导体结构的形成方法
有效
专利申请进度
申请
2020-03-05
申请公布
2021-09-07
授权
2023-12-22
预估到期
2040-03-05
专利基础信息
申请号 CN202010146871.X 申请日 2020-03-05
申请公布号 CN113363145A 申请公布日 2021-09-07
授权公布号 CN113363145B 授权公告日 2023-12-22
分类号 H01L21/28;H01L21/285;H01L21/336;H01L29/10;H01L29/78
分类 基本电气元件;
申请人名称 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址 上海市浦东新区张江路18号
专利法律状态
  • 2023-12-22
    授权
    状态信息
    授权
  • 2021-09-07
    公布
    状态信息
    公布
摘要
一种半导体结构的形成方法,包括:提供基底;在所述基底表面形成源漏掺杂层;在所述源漏掺杂层表面沉积形成绝缘层;形成所述绝缘层之后,在部分所述源漏掺杂层表面形成沟道柱,且所述沟道柱贯穿所述绝缘层。所述方法形成的半导体结构的性能较好。