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专利状态

半导体结构及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2020-06-19

申请公布

2021-12-21

授权

2023-12-22

预估到期

2040-06-19

专利基础信息

申请号	CN202010568333.X	申请日	2020-06-19
申请公布号	CN113823692A	申请公布日	2021-12-21
授权公布号	CN113823692B	授权公告日	2023-12-22
分类号	H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区张江路18号

专利法律状态

2023-12-22

授权

状态信息

授权
2021-12-21

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：衬底；位于所述衬底上的第一源漏掺杂层；位于所述第一源漏掺杂层上的沟道柱；位于所述沟道柱侧壁表面的栅极结构，所述栅极结构包括第一区以及位于所述第一区上的第二区；导电层，所述导电层与所述栅极结构的第二区接触；位于所述导电层上的第一导电结构。通过所述导电层与所述栅极结构的第二区相接触，所述第二区位于所述栅极结构的顶部，以此增大所述导电层和所述第一源漏掺杂层之间的间距，从而减小所述栅极结构和所述第一源漏掺杂层之间的寄生电容减小，以此提升最终形成的半导体结构的性能。

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