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专利状态

半导体结构及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2020-07-31

申请公布

2022-02-18

授权

2024-03-22

预估到期

2040-07-31

专利基础信息

申请号	CN202010762878.4	申请日	2020-07-31
申请公布号	CN114063322A	申请公布日	2022-02-18
授权公布号	CN114063322B	授权公告日	2024-03-22
分类号	G02F1/025
分类	光学;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号

专利法律状态

2024-03-22

授权

状态信息

授权
2022-03-08

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):G02F1/025；申请日:20200731
2022-02-18

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括第一介质层以及分立于第一介质层上的第一金属层和第二金属层；在第一金属层和第二金属层之间的第一介质层上形成调节层；形成覆盖第一金属层、第二金属层以及调节层的第二介质层。调节层上的第二介质层的厚度与第一金属层上的第二介质层的厚度相差较小，调节层上的第二介质层的厚度与第二金属层上的第二介质层的厚度相差较小，相应的，刻蚀第二介质层，形成露出第一金属层、第二金属层以及调节层的开口的过程中，第一金属层和第二金属层上的开口先形成，调节层上的开口后形成，调节层受损伤较小，调节层的形成质量较高，有利于提高半导体结构的电学性能。

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