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专利状态

半导体结构及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2019-12-30

申请公布

2021-07-16

授权

2024-01-26

预估到期

2039-12-30

专利基础信息

申请号	CN201911393123.5	申请日	2019-12-30
申请公布号	CN113130380A	申请公布日	2021-07-16
授权公布号	CN113130380B	授权公告日	2024-01-26
分类号	H01L21/768;H01L23/538
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号

专利法律状态

2024-01-26

授权

状态信息

授权
2021-08-03

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/768；申请日:20191230
2021-07-16

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，所述形成方法包括：对所述第二介质层进行图形化之后，在所述第二导电层表面形成遮蔽层；形成所述遮蔽层之后，对所述第二接触孔底部的第一介质层进行刻蚀至暴露出所述第一导电层，在所述第二介质层中形成第三接触孔；以所述遮蔽层为掩膜，在所述第三接触孔中形成第一插塞；形成所述第一插塞之后，去除所述遮蔽层；去除所述遮蔽层之后，在所述第二接触孔中形成第二插塞，并在所述第一接触孔中形成第三插塞。所述方法能够形成高质量的第二插塞和第三插塞，改善第二插塞和第三插塞的导电性能。

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