半导体结构及其形成方法_专利查询-品牌网

热门行业
装修建材
家居生活
餐饮食品
母婴教育
电脑办公
服装首饰
汽车工具
家电数码
机械化工
休闲美容

热门行业

教育培训
板材
地板
涂料
家纺
集成吊顶
美缝剂
木门
硅藻泥
管材
指纹锁
橱柜
衣柜
床垫
电热水器
集成灶
暖气片
净水器
酒店
卫浴

返回上一页

专利状态

半导体结构及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2019-06-28

申请公布

2020-12-29

授权

2023-12-12

预估到期

2039-06-28

专利基础信息

申请号	CN201910577101.8	申请日	2019-06-28
申请公布号	CN112151379A	申请公布日	2020-12-29
授权公布号	CN112151379B	授权公告日	2023-12-12
分类号	H01L21/336;H01L29/78
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号

专利法律状态

2023-12-12

授权

状态信息

授权
2020-12-29

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括衬底、位于衬底上的栅极结构、位于栅极结构两侧衬底中的源漏掺杂区以及位于源漏掺杂区上的层间介质层；其中，衬底包括器件区和隔离区，位于器件区上的栅极结构作为器件栅极结构，位于隔离区上的栅极结构为伪栅极结构；刻蚀伪栅极结构和伪栅极结构下方源漏掺杂区之间的衬底，形成开口；在开口中形成隔离层和位于隔离层上的应力介电层；应力介电层对源漏掺杂区的压应力大于隔离层对源漏掺杂区的压应力。在半导体结构工作时，应力介电层能够对源漏掺杂区产生应力，源漏掺杂区能够给器件栅极结构下方的沟道提供应力，从而提高沟道中载流子迁移速率，进而提高半导体结构的电学性能。

更多专利

全国服务热线：

在线客服

1211389656 咨询

商务合作

85926368 咨询

媒体合作

921888730 咨询

在线客服
客服微信号

品牌网官方客服微信

打开微信扫一扫

客服微信
商务合作微信

商务合作详谈

打开微信扫一扫

商务合作
回到顶部

在线客服

商务合作

媒体合作

客服微信号

商务合作微信