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专利状态

半导体结构及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2020-01-08

申请公布

2021-07-09

授权

2023-11-21

预估到期

2040-01-08

专利基础信息

申请号	CN202010018892.3	申请日	2020-01-08
申请公布号	CN113097137A	申请公布日	2021-07-09
授权公布号	CN113097137B	授权公告日	2023-11-21
分类号	H01L21/8234;H01L27/088
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区张江路18号

专利法律状态

2023-11-21

授权

状态信息

授权
2021-07-27

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/8234；申请日:20200108
2021-07-09

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体结构及其形成方法，包括：提供基底，所述基底包括相邻接的外围区与核心区，所述外围区上具有第一沟道柱，所述核心区上具有第二沟道柱；在所述第一沟道柱的侧壁形成第一栅氧层；在所述基底上形成隔离结构，所述隔离结构覆盖所述第一栅氧层的部分侧壁。通过所述隔离结构覆盖部分所述第一栅氧层的侧壁表面，在后续对所述第二沟道柱的侧壁表面进行清洗处理时，虽然清洗溶液会对所述隔离结构造成一定刻蚀，进而减小所述隔离结构的厚度，但是并不会暴露出第一沟道柱的侧壁，因而能够保证后续在第一沟道柱侧壁上形成的第一栅极结构全部形成在第一栅氧层的表面，使得所述第一沟道柱的电学性能稳定，进而提升最终形成的半导体结构的电学性能。

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