半导体结构及其形成方法_专利查询-品牌网

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专利状态

半导体结构及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2020-06-23

申请公布

2021-12-24

授权

2023-12-22

预估到期

2040-06-23

专利基础信息

申请号	CN202010581093.7	申请日	2020-06-23
申请公布号	CN113838932A	申请公布日	2021-12-24
授权公布号	CN113838932B	授权公告日	2023-12-22
分类号	H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区张江路18号

专利法律状态

2023-12-22

授权

状态信息

授权
2021-12-24

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：基底，所述基底包括衬底和位于衬底表面的若干鳍部；位于所述基底上横跨若干所述鳍部的栅极结构，且所述栅极结构覆盖所述鳍部的部分顶部和侧壁表面；分别位于所述栅极结构两侧的鳍部内的源漏掺杂层，位于相邻的鳍部内的源漏掺杂层相邻；位于所述源漏掺杂层表面的接触电阻层，且相邻接触电阻层相连；位于部分接触电阻层表面的第一插塞。相邻接触电阻层相连，且在部分接触电阻层表面形成第一插塞，使得所述第一插塞在栅极结构上的投影面积较小，且所述第一插塞的体积较小，有利于降低第一插塞和栅极结构之间的寄生电容，进而提升所述半导体结构的性能。

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