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专利状态

半导体结构及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2020-04-20

申请公布

2021-10-22

授权

2024-01-26

预估到期

2040-04-20

专利基础信息

申请号	CN202010312351.1	申请日	2020-04-20
申请公布号	CN113539948A	申请公布日	2021-10-22
授权公布号	CN113539948B	授权公告日	2024-01-26
分类号	H01L21/768;H01L23/528
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号

专利法律状态

2024-01-26

授权

状态信息

授权
2021-11-09

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/768；申请日:20200420
2021-10-22

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成第一互连线、覆盖第一互连线的介质叠层以及覆盖介质叠层的第二介质层；形成位于第一区域的第一互连沟槽和位于第二区域的第二互连沟槽；形成填充第一互连沟槽的第一硬掩膜层、填充第二互连沟槽的第二硬掩膜层，第二硬掩膜层的耐刻蚀度大于第一硬掩膜层的耐刻蚀度；形成贯穿第一硬掩膜层、第二介质层和介质叠层的第一通孔，以及贯穿第二硬掩膜层和第二介质层的第二通孔；形成位于第一通孔中的超级通孔互连结构、位于第二通孔中的单层通孔互连结构以及位于第一互连沟槽和第二互连沟槽中的第三互连线。本发明有利于提高半导体结构的互连性能。

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