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专利状态

半导体器件及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2019-09-26

申请公布

2021-03-26

授权

2023-12-22

预估到期

2039-09-26

专利基础信息

申请号	CN201910918281.1	申请日	2019-09-26
申请公布号	CN112563200A	申请公布日	2021-03-26
授权公布号	CN112563200B	授权公告日	2023-12-22
分类号	H01L21/8234;H01L27/088
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区张江路18号

专利法律状态

2023-12-22

授权

状态信息

授权
2021-03-26

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种半导体器件及其形成方法，其形成方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成若干分立排布的芯层；在所述芯层的侧壁上形成第一侧墙，所述第一侧墙的顶部表面与所述芯层的顶部表面齐平；去除至少一个所述芯层的一侧壁上的所述第一侧墙；在去除所述第一侧墙后的所述芯层的侧壁上形成第二侧墙，所述第一侧墙和所述第二侧墙采用非相同材料。本发明利用第一侧墙和第二侧墙采用非相同材料，将不需要形成鳍部位置上的侧墙去掉，继续剩余的侧墙为掩膜刻蚀衬底形成鳍部时，在不需要形成鳍部的位置就不会形成鳍部，简化了鳍部的形成工艺，提高了形成的鳍部的质量，从而提高形成的半导体器件的质量。

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