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专利状态
LDMOS器件及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2020-08-18
申请公布
2022-02-22
授权
2024-03-08
预估到期
2040-08-18
专利基础信息
申请号 CN202010830811.X 申请日 2020-08-18
申请公布号 CN114078704A 申请公布日 2022-02-22
授权公布号 CN114078704B 授权公告日 2024-03-08
分类号 H01L21/336;H01L29/06;H01L29/10
分类 基本电气元件;
申请人名称 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
专利法律状态
  • 2024-03-08
    授权
    状态信息
    授权
  • 2022-03-11
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):H01L21/336;申请日:20200818
  • 2022-02-22
    公布
    状态信息
    公布
摘要
一种LDMOS器件及其形成方法,形成方法包括:提供基底,所述基底内形成有相邻的阱区和漂移区,所述阱区包括第一衬底和凸出于所述第一衬底的第一鳍部,所述漂移区包括第二衬底,所述第二衬底的顶面与所述第一鳍部的顶面齐平;在所述第一鳍部露出的所述第一衬底上形成氧化层,所述氧化层的高度低于所述第一鳍部的高度。本发明实施例所提供的LDMOS器件的形成方法,在提高LDMOS器件可靠性能的同时不影响器件的RF性能。