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专利状态
半导体结构及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2018-07-05
申请公布
2020-01-14
授权
2023-12-12
预估到期
2038-07-05
专利基础信息
申请号 CN201810733462.2 申请日 2018-07-05
申请公布号 CN110690285A 申请公布日 2020-01-14
授权公布号 CN110690285B 授权公告日 2023-12-12
分类号 H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06
分类 基本电气元件;
申请人名称 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
专利法律状态
  • 2023-12-12
    授权
    状态信息
    授权
  • 2020-01-14
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明提供一种半导体结构及其形成方法,半导体结构的形成方法包括:提供基底;在所述基底中形成多个相间隔的填充层;刻蚀所述基底,形成多个分立的鳍部;刻蚀所述填充层,形成多个分立的伪鳍部。本发明一种半导体结构,包括:衬底,所述衬底包括器件区,位于所述器件区之间的隔离区;多个分立的鳍部,位于所述器件区的所述衬底上且与所述衬底材料相同;多个分立的伪鳍部,位于所述隔离区的所述衬底上且材料与所述衬底材料不同。本发明优化了半导体结构的电学性能。