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专利状态

半导体结构及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2018-12-26

申请公布

2020-07-03

授权

2023-12-12

预估到期

2038-12-26

专利基础信息

申请号	CN201811605461.6	申请日	2018-12-26
申请公布号	CN111370309A	申请公布日	2020-07-03
授权公布号	CN111370309B	授权公告日	2023-12-12
分类号	H01L21/308
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号

专利法律状态

2023-12-12

授权

状态信息

授权
2020-07-03

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成多个分立的第一掩膜图形；在第一掩膜图形侧壁上形成牺牲侧墙；在牺牲侧墙的侧壁上形成第二掩膜图形；第一掩膜图形、牺牲侧墙以及第二掩膜图形的宽度相等，第一掩膜图形以及位于同一第一掩膜图形侧壁上的牺牲侧墙和第二掩膜图形构成图形单元，位于相邻图形单元中的第二掩膜图形的间距为第一掩膜图形宽度的整数倍；去除牺牲侧墙；以第一掩膜图形和第二掩膜图形为掩膜刻蚀衬底，形成多个分立的鳍部。以第一掩膜图形和第二掩膜图形为掩膜刻蚀衬底，可以通过更改衬底上相对应的相邻图形单元间的间距来调整后续形成的鳍部间的间距，进而进一步改善半导体结构的性能性。

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