半导体结构及其形成方法_专利查询-品牌网

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专利状态

半导体结构及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2019-07-30

申请公布

2021-02-02

授权

2023-10-17

预估到期

2039-07-30

专利基础信息

申请号	CN201910696143.3	申请日	2019-07-30
申请公布号	CN112309859A	申请公布日	2021-02-02
授权公布号	CN112309859B	授权公告日	2023-10-17
分类号	H01L21/336;H01L29/78
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号

专利法律状态

2023-10-17

授权

状态信息

授权
2021-02-23

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/336；申请日:20190730
2021-02-02

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括衬底、凸出于衬底的半导体柱、包围半导体柱部分侧壁的第一半导体掺杂层、位于第一半导体掺杂层上且包围半导体柱部分侧壁的第一栅极结构、以及位于半导体柱顶部的第二半导体掺杂层，第一半导体掺杂层上还形成有露出第一栅极结构和第二半导体掺杂层的顶部的层间介质层；在层间介质层中形成位于第一栅极结构和第二半导体掺杂层顶部的保护层，在与衬底平行的投影面上保护层凸出于第一栅极结构的侧壁；在层间介质层中形成与第一半导体掺杂层相接触的第一插塞。通过保护层，有利于防止第一插塞与第一栅极结构之间容易发生短接的问题。

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