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专利状态
半导体结构及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2020-05-14
申请公布
2021-11-19
授权
2024-03-19
预估到期
2040-05-14
专利基础信息
申请号
CN202010406717.1
申请日
2020-05-14
申请公布号
CN113675087A
申请公布日
2021-11-19
授权公布号
CN113675087B
授权公告日
2024-03-19
分类号
H01L21/336;H01L21/3115;H01L29/06;H01L29/78
分类
基本电气元件;
申请人名称
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
专利法律状态
2024-03-19
授权
状态信息
授权
2021-12-07
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L21/336;申请日:20200514
2021-11-19
公布
状态信息
公布
摘要
一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底,基底内形成有相邻接的阱区和漂移区,漂移区中具有漏区;在阱区和漂移区交界处的基底上形成栅极结构;在栅极结构以及栅极结构露出基底上形成硅化物阻挡材料层;在硅化物阻挡材料层中掺杂离子,且掺杂离子掺杂在硅化物阻挡材料层的底部;图形化硅化物阻挡材料层,在漏区和栅极结构之间的漂移区上形成硅化物阻挡层。掺杂离子与硅化物阻挡材料层底部的悬挂键结合形成饱和键,能够减少硅化物阻挡材料层底部界面的电荷,且掺杂在硅化物阻挡材料层底部的离子具有自身的电场,能够干扰硅化物阻挡层中原有的电场线分布,从而硅化物阻挡层中的电荷不易进入漂移区中,使得半导体结构的击穿电压较高。
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