一种半导体器件及形成方法

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专利状态

一种半导体器件及形成方法

有效

专利申请进度

申请

2019-11-20

申请公布

2021-05-21

授权

2024-03-19

预估到期

2039-11-20

专利基础信息

申请号	CN201911144369.9	申请日	2019-11-20
申请公布号	CN112825309A	申请公布日	2021-05-21
授权公布号	CN112825309B	授权公告日	2024-03-19
分类号	H01L21/8234;H01L27/088
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号

专利法律状态

2024-03-19

授权

状态信息

授权
2021-06-08

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/8234；申请日:20191120
2021-05-21

公布

状态信息

公布

摘要

本发明实施例提供了一种半导体器件及形成方法。在本发明实施例中，提供了一种具有垂直栅极结构的半导体器件的形成方法。本发明实施例通过在第一区域和第二区域形成高度不同的第一介质层，并以第一介质层为掩膜刻蚀去除第一介质层暴露出的栅极堆叠材料层，以形成不同高度的第一栅极结构和第二栅极结构，不同高度的第一栅极结构和第二栅极结构能够使形成在第一区域和第二区域的半导体器件分别具有不同的有效的沟道长度，满足不同器件性能的要求，可以提高半导体器件的灵活性。

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