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专利状态
单侧刻蚀偏差测量方法及设备
有效
专利申请进度
申请
2020-05-12
申请公布
2021-11-30
授权
2024-03-15
预估到期
2040-05-12
专利基础信息
申请号 CN202010395638.5 申请日 2020-05-12
申请公布号 CN113724178A 申请公布日 2021-11-30
授权公布号 CN113724178B 授权公告日 2024-03-15
分类号 G06T7/00;G06T7/13;G06T7/62
分类 计算;推算;计数;
申请人名称 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
专利法律状态
  • 2024-03-15
    授权
    状态信息
    授权
  • 2021-11-30
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明提供了一种单侧刻蚀偏差测量方法及设备,所述单侧刻蚀偏差测量方法包括基于同一坐标系的第一设计图案和第二设计图案,以及分别与所述第一设计图案和所述第二设计图案相对应的第一检测图案和第二检测图案;将所述第一检测图案定位于所述第一设计图案,将所述第二检测图案定位于所述第二设计图案;将所述第一检测图案和所述第二检测图案设置于同一坐标系。