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专利状态
半导体结构的形成方法、晶体管
有效
专利申请进度
申请
2019-11-26
申请公布
2021-06-11
授权
2024-03-26
预估到期
2039-11-26
专利基础信息
申请号 CN201911174134.4 申请日 2019-11-26
申请公布号 CN112951896A 申请公布日 2021-06-11
授权公布号 CN112951896B 授权公告日 2024-03-26
分类号 H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78
分类 基本电气元件;
申请人名称 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
专利法律状态
  • 2024-03-26
    授权
    状态信息
    授权
  • 2021-06-11
    公布
    状态信息
    公布
摘要
一种半导体结构的形成方法、晶体管,形成方法包括:提供基底,包括衬底和位于衬底上的鳍部,衬底包括稠密区和稀疏区,稠密区中鳍部的分布密度高于稀疏区中鳍部的分布密度;形成覆盖鳍部的第一隔离材料膜;采用臭氧对第一隔离材料膜进行固化处理,形成第一隔离材料层;对第一隔离材料层进行第一退火处理,形成第一隔离层;去除第一隔离层,在鳍部上保形覆盖第一保护层;形成第一保护层后,形成隔离结构,隔离结构覆盖鳍部的部分侧壁。本发明实施例通过依次经过臭氧处理和第一退火处理,使位于稠密区中边缘位置处的鳍部预先向稀疏区弯曲,形成第一保护层使得稠密区中边缘区域的鳍部向稠密区内部弯曲,使得鳍部具有较好的形貌质量。