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专利状态

半导体结构及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2019-02-28

申请公布

2020-09-04

授权

2023-10-17

预估到期

2039-02-28

专利基础信息

申请号	CN201910152061.2	申请日	2019-02-28
申请公布号	CN111627860A	申请公布日	2020-09-04
授权公布号	CN111627860B	授权公告日	2023-10-17
分类号	H01L21/8234;H01L27/088
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号

专利法律状态

2023-10-17

授权

状态信息

授权
2020-09-29

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/8234；申请日:20190228
2020-09-04

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的缓冲停止层以及分立于所述缓冲停止层上的伪鳍部；在所述伪鳍部露出的缓冲停止层上，形成隔离结构，且隔离结构覆盖伪鳍部的侧壁；对隔离结构进行退火处理；退火处理后，去除伪鳍部，在隔离结构中形成凹槽；在凹槽中形成鳍部；回刻蚀部分厚度的隔离结构，形成隔离层，隔离层覆盖鳍部的部分侧壁。本发明实施例在隔离结构覆盖伪鳍部时进行退火处理，然后去除伪鳍部形成鳍部，避免鳍部表面被氧化，且因为伪鳍部形成在缓冲停止层上，使得后续去除伪鳍部时，凹槽底部位于缓冲停止层上。本发明实施例使得鳍部具有良好的均一性，进而优化半导体结构的性能。

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