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专利状态

半导体器件及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2019-03-12

申请公布

2020-09-22

授权

2023-12-22

预估到期

2039-03-12

专利基础信息

申请号	CN201910185589.X	申请日	2019-03-12
申请公布号	CN111696864A	申请公布日	2020-09-22
授权公布号	CN111696864B	授权公告日	2023-12-22
分类号	H01L21/336;H01L21/28
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区张江路18号

专利法律状态

2023-12-22

授权

状态信息

授权
2020-09-22

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体器件及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底，所述基底上具有若干相互分立的伪栅电极层，所述基底上还具有初始第一介质层，且所述初始第一介质层暴露出伪栅电极层顶部表面；回刻蚀所述初始第一介质层，形成第一介质层，所述第一介质层顶部表面低于伪栅电极层顶部表面；在所述第一介质层表面形成刻蚀停止层；去除所述伪栅电极层，在所述第一介质层内形成伪栅开口；在所述伪栅开口内形成栅极结构，且所述栅极结构顶部表面和刻蚀停止层顶部表面齐平。所述方法形成的半导体器件的性能较好。

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