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专利状态

CMOS全加器和多位全加器

有效

专利申请进度

申请

2019-06-20

申请公布

2020-12-22

授权

2024-03-22

预估到期

2039-06-20

专利基础信息

申请号	CN201910539726.5	申请日	2019-06-20
申请公布号	CN112118005A	申请公布日	2020-12-22
授权公布号	CN112118005B	授权公告日	2024-03-22
分类号	H03K19/0948;H03K19/20
分类	基本电子电路;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区张江路18号

专利法律状态

2024-03-22

授权

状态信息

授权
2021-01-08

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H03K19/0948；申请日:20190620
2020-12-22

公布

状态信息

公布

摘要

本申请公开了一种CMOS全加器，其包括一个以上PMOS场效应管、一个以上NMOS场效应管以及连接线路。连接线路用于连接所述一个以上PMOS场效应管和所述一个以上NMOS场效应管。连接线路被配置为降低一个以上PMOS场效应管及一个以上NMOS场效应管中的至少一个的阈值电压。本申请还公开了一种多位全加器，其包括多个CMOS全加器。所述CMOS全加器以及多位全加器可以有效地降低器件的上升、下降、传播延迟情况，从而提升电路速度。

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