半导体结构及其形成方法_专利查询-品牌网

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专利状态

半导体结构及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2020-07-06

申请公布

2022-01-07

授权

2023-12-22

预估到期

2040-07-06

专利基础信息

申请号	CN202010641667.5	申请日	2020-07-06
申请公布号	CN113903808A	申请公布日	2022-01-07
授权公布号	CN113903808B	授权公告日	2023-12-22
分类号	H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区张江路18号

专利法律状态

2023-12-22

授权

状态信息

授权
2022-01-07

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体结构及其形成方法，包括：衬底；位于衬底上的若干鳍部结构，相邻的鳍部结构之间具有隔离结构以及在隔离结构之上的隔离沟槽，鳍部结构包括若干层沿衬底表面法线方向的沟道层；位于衬底上的若干横跨相邻鳍部结构的栅极结构，栅极结构包围沟道层；位于衬底上的介质层；位于隔离沟槽内的第二隔离层，栅极结构覆盖第二隔离层的部分侧壁和顶部表面，且第二隔离层与相邻的鳍部结构之间具有间隙。通过位于隔离沟槽内的第二隔离层，栅极结构覆盖第二隔离层的部分侧壁和顶部表面，且第二隔离层与相邻的鳍部结构之间具有间隙。使得栅极结构能够四面全包围沟道层，进而增大栅极结构包围沟道层所形成的沟道区面积，有效提升最终半导体结构的性能。

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