• 热门行业
  • 装修建材
  • 家居生活
  • 餐饮食品
  • 母婴教育
  • 电脑办公
  • 服装首饰
  • 汽车工具
  • 家电数码
  • 机械化工
  • 休闲美容
返回上一页
专利状态
半导体结构及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2019-03-27
申请公布
2020-10-09
授权
2024-03-22
预估到期
2039-03-27
专利基础信息
申请号 CN201910236557.8 申请日 2019-03-27
申请公布号 CN111755498A 申请公布日 2020-10-09
授权公布号 CN111755498B 授权公告日 2024-03-22
分类号 H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78
分类 基本电气元件;
申请人名称 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
专利法律状态
  • 2024-03-22
    授权
    状态信息
    授权
  • 2020-10-30
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):H01L29/06;申请日:20190327
  • 2020-10-09
    公布
    状态信息
    公布
摘要
一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底,包括衬底和分立于衬底上的鳍部,基底包括第一区域和第二区域,且第一区域中形成的栅极结构和第二区域中形成的栅极结构相互隔离;形成隔离层以及凸出于隔离层的阻断结构,隔离层位于鳍部露出的衬底上且隔离层覆盖鳍部的部分侧壁,阻断结构位于第一区域和第二区域交界处的隔离层上,阻断结构的延伸方向平行于鳍部的延伸方向;形成隔离层和阻断结构后,形成横跨多个鳍部的栅极结构,栅极结构覆盖鳍部的部分侧壁和部分顶壁,且栅极结构覆盖阻断结构的侧壁,且栅极结构露出阻断结构顶面。本发明形成阻断结构之后形成栅极结构,阻断结构对栅极结构的隔离效果更好,优化了半导体结构的电学性能。