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专利状态

半导体结构及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2019-01-28

申请公布

2020-08-04

授权

2024-02-27

预估到期

2039-01-28

专利基础信息

申请号	CN201910080126.7	申请日	2019-01-28
申请公布号	CN111489972A	申请公布日	2020-08-04
授权公布号	CN111489972B	授权公告日	2024-02-27
分类号	H01L21/336;H01L21/28
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区张江路18号

专利法律状态

2024-02-27

授权

状态信息

授权
2020-08-28

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/336；申请日:20190128
2020-08-04

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体结构的形成方法，形成方法包括：提供衬底，衬底包括第一区域和第二区域；在第一区域形成第一栅极结构，第一栅极结构包括第一初始伪栅介质层和位于第一初始伪栅介质层上的第一伪栅极层；在第二区域形成第二栅极结构，第二栅极结构包括第二伪栅介质层和位于第二伪栅介质层上的第二伪栅极层；去除第一伪栅极层，在第一区域形成第一栅开口，第一栅开口暴露出第一初始伪栅介质层；去除第二伪栅极层，在第二区域形成第二栅开口，第二栅开口暴露出第二伪栅介质层；对第一栅开口暴露出的第一初始伪栅介质层进行氮化处理，形成第一伪栅介质层；形成第一伪栅介质层后，去除暴露出的第二伪栅介质层。所形成的半导体结构改善了晶体管的性能。

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